还有个几年可玩，再玩到下面除非整个mos管什么的结构性能可以大幅度提高不然到瓶颈了。讲制程越先进mos管什么隧穿效应 热效应 电磁效应什么的越来越明显，再往下做明显是对现在这些电学理论的挑战了，现在我感觉基本已经到瓶颈了 弯道超车不可能的，就算国外把设备都给你赶上基本还要个5-10年，现在没设备这玩意不知道几十年还是几百年才能搞定
